В минувшем октябре мы уже писали о первом в отрасли массовом производстве 3-битной 3D V-NAND, начатом Samsung Electronics. А сегодня эта корейская компания официально объявила о выпуске твердотельных накопителей, построенных на флеш-памяти данного типа. Новинки серии 850 EVO ориентированы на потребительский сегмент и выйдут на рынки в общей сложности 53 стран по всему миру, включая Северную Америку, Азию и Европу, где будут представлены версиями емкостью 1 ТБ и 500/250/120 ГБ. В настоящее время серия включает 2,5-дюймовые SSD, но в 2015 году ожидаем решений mSATA и M.2.
Столь высокая емкость не в последнюю очередь обусловлена как раз использованием 3-битной 3D V-NAND, у которой в состав кристалла входят 32 вертикально расположенных слоя ячеек, а каждый такой чип флеш-памяти способен хранить 128 Гбит информации. К тому же новые SSD от Samsung обладают вполне приличным быстродействием, скажем, скорость последовательного чтения-записи данных у них доходит до 540 МБ/с и 520 МБ/с соответственно, а максимальная производительность при произвольной записи благодаря технологии TurboWrite равна 90 000 IOPS. О «цене вопроса» в пресс-релизе не говорится.
Автор: Gadget Girl
Просмотров: 1725
