OCZ первая перейдет к решениям на базе 2х нм NAND

Компания OCZ Technology Group официально объявила, что она является первым производителем твердотельных накопителей, который успешно завершит переход к выпуску решений на основе 2х нм NAND памяти. Напомним, технологические нормы 2х нм являются последним достижением в деле производства NAND памяти и позволяют предложить более емкие накопители без увеличения стоимости.

В то же время подобная память не лишена и недостатков, одним из которых является более низкое число возможных циклов записи. Как признают в OCZ, NAND память на основе 2х нм (точнее 25 нм) чипов способна выдержать 3000 циклов записи без негативных последствий, тогда как у NAND памяти предыдущего поколения на базе 34 нм чипов этот показатель достигает 5000 циклов.
Для компенсации этого недостатка производителю приходится использовать так называемый процесс Over-Provisioning, когда резервная область твердотельного накопителя увеличивается, и это недоступное пользователю пространство управляется контроллером для уменьшения деградации. Заметим, что первые покупатели накопителей OCZ на базе 2х нм NAND памяти действительно жаловались на меньший (на 4-5 ГБ) объем полезного пространства по сравнению с теми же моделями на 34 нм NAND, однако компания пока не сделала ясного разграничения между этими решениями. Добавим, что SSD на 2х нм NAND снабжены той же гарантией, что и предыдущие продукты от OCZ.